As olarak
InAs tek kristalleri, InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, heteroeklem ve InAs/GaSb süper kafes yapılarının büyümesi için substrat görevi görebilir. Bu yapılar, orta kızılötesi kuantum kademeli lazerler ve dalga boyları 2 ila 14 μm arasında olan kızılötesi ışık yayan cihazlar oluşturmak için kullanılabilir. Bu kızılötesi cihazların, düşük kayıplı fiber iletişim ve gaz izlemede kullanım bulma şansı yüksektir. Ayrıca InAs tek kristalleri, elektron hareketliliği nedeniyle Hall cihazları için mükemmel bir malzemedir.
|
Genel ÖZELLİKLER |
|||||||
|
Boyut |
2" |
3" |
4" |
||||
|
Oryantasyon |
(100)±0,1 derece |
(100)±0,1 derece |
(100)±0,1 derece |
||||
|
Çap(mm) |
50.5±0.5 |
76.2±0.4 |
100.0±0.5 |
||||
|
OF Oryantasyonu |
EJ |
EJ |
EJ |
||||
|
Hoşgörü |
±0.1 derece |
±0.1 derece |
±0.1 derece |
||||
|
OF Uzunluk(mm) |
16±2 |
22±2 |
32.5±2.5 |
||||
|
IF Uzunluğu(mm) |
8±1 |
11±1 |
18±1 |
||||
|
Kalınlık(μm) |
500±25 |
625±25 |
1000±25 |
||||
|
Boyut özelleştirilebilir. |
|||||||
|
İletkenlik ve Dopant |
|||||||
|
katkı maddesi |
İletkenlik Türü |
CC /cm-2 |
Hareketlilik/cm²V-1S-1 |
Dislokasyon Yoğunluğu / cm-2 |
|||
|
Katkısız |
p tipi |
(1~3)x10-18 |
>2000 |
2",3",4" 1000'den küçük veya eşit |
|||
|
Talep üzerine daha sıkı elektrik ölçümleri sağlanabilir. |
|||||||
|
DÜZLÜK |
|||||||
|
Yüzey |
2" |
3" |
4" |
||||
|
Cilalı/Kazınmış |
TTV(μm) |
<10 |
<10 |
<15 |
|||
|
Yay(μm) |
<8 |
<8 |
<10 |
||||
|
Çözgü(μm) |
<12 |
<12 |
<15 |
||||
|
Cilalı/Cilalı |
TTV(μm) |
<5 |
<5 |
<5 |
|||
|
Yay(μm) |
<5 |
<5 |
<5 |
||||
|
Çözgü(μm) |
<8 |
<8 |
<10 |
||||
Popüler Etiketler: 2", 3" ve 4" indiyum arsenit gofret, Çin 2", 3" ve 4" indiyum arsenit gofret üreticileri, tedarikçiler, fabrika, 3 indium arsenit gofret
